SUP85N10-10-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SUP85N10-10-GE3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SUP85N10-10-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 85 A Resistance Drain-Source RDS (on): 10.5 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220AB-3 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 250 W Factory Pack Quantity: 500
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SUP85N10-10-GE3.pdf
Файл формата Pdf 163,84 KB